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회사 Samsung 인메모리 컴퓨팅을 위한 MRAM(자기저항 랜덤 액세스 메모리) 기술을 세계 최초로 시연했다고 발표했습니다. "메모리 내 컴퓨팅을 위한 교차 배열 자기 저항 장치"라는 제목의 이 회사의 논문은 Nature 저널에 게재되었습니다.
데이터는 일반적으로 프로세서의 고속 DRAM에 저장됩니다. 그러나 MRAM은 상황을 바꾸고 데이터 저장 및 계산을 통합하여 동일한 칩에서 이 두 가지를 모두 수행할 수 있습니다. 이론적으로 이 경우 작업은 프로세서의 메모리에서 또는 그 반대로 데이터를 전송할 필요가 없기 때문에 훨씬 빠르게 수행됩니다. 또한 데이터 처리가 메모리에서 매우 병렬 방식으로 이루어지기 때문에 상당한 전기 절약이 달성됩니다.
PRAM 및 RRAM과 같은 다른 인메모리 컴퓨팅 솔루션이 이미 시연되었지만 작동하는 MRAM은 주로 낮은 저항으로 인해 달성하기가 상당히 어려웠기 때문에 이 시연은 획기적인 것입니다. 또한 표준 인메모리 컴퓨팅 아키텍처에서 MRAM의 전력 효율성 이점을 활용하는 것도 불가능했습니다.
회사 Samsung 저항 문제를 해결하기 위해 표준 Current-Sum 대신 Resistance Sum을 사용하는 독점 MRAM 어레이 칩으로 MRAM을 가능하게 했습니다.
이 솔루션은 인공 지능(AI) 애플리케이션을 사용하여 테스트되었으며 필기 숫자 분류에서 98% 정확도, 이미지에서 얼굴 감지에서 93% 정확도를 보여주었습니다. Samsung MRAM 기술이 AI 처리 및 고성능 AI 칩을 만드는 데 사용될 수 있다고 주장합니다.
논문의 제저자인 정순철 박사는 다음과 같이 말했습니다. “기억에서의 계산은 뇌에서 계산이 생물학적 기억 네트워크, 즉 뉴런이 서로 접촉하는 지점인 시냅스에서도 일어난다는 점에서 뇌와 유사합니다. 사실 우리의 MRAM 네트워크가 수행하는 계산은 현재 뇌가 수행하는 계산과 다른 목적을 가지고 있지만 이러한 고체 상태 메모리 네트워크는 미래에 뇌의 통신을 시뮬레이션하여 뇌를 시뮬레이션하는 플랫폼으로 사용될 수 있습니다. 뇌 시냅스."
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