Samsung PC 및 모바일 장치를 위한 차세대 RAM 개발에서 중요한 이정표에 도달했습니다. 이 회사는 극자외선 공정을 기반으로 하는 4나노급 DDR10 DRAM 모듈을 최초로 만개 납품했습니다. 차세대 리소그래피 기술이 도움이 될 것입니다. Samsung DRAM 확장의 장벽을 극복하여 개발 시간을 단축하고 성능을 향상시킵니다.
그러나 EUV 기반 RAM이 조만간 어디에나 있을 것이라고 기대하지 마십시오. 에 Samsung 2020년 하반기까지 칩을 생산할 다른 공장이 없으며 제조업체는 5년까지 더 빠른 DDR2021 메모리의 대량 생산을 시작할 것으로 예상하지 않습니다. 이것은 현재 기성품 솔루션보다 RAM의 미래에 대한 모습입니다.
댓글을 남겨주세요.